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Artigo de periodico
Concentration effect on the optical and magnetic properties of Co2+-doped Bi2S3 semimagnetic nanocrystals growth in glass matrix (2018)
Guimarães, E. V.; Gonçalves, E. R.; Lourenço, S. A.; Oliveira, L. C.; Baffa, Oswaldo; Silva, A. C. A.; Dantas, N. O.; Silva, R. S.
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: FFCLRP
Subjects: COBALTO, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
GUIMARÃES, E. V. et al. Concentration effect on the optical and magnetic properties of Co2+-doped Bi2S3 semimagnetic nanocrystals growth in glass matrix. Journal of Alloys and Compounds, v. 740, p. 974-979, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.01.073. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Guimarães, E. V., Gonçalves, E. R., Lourenço, S. A., Oliveira, L. C., Baffa, O., Silva, A. C. A., et al. (2018). Concentration effect on the optical and magnetic properties of Co2+-doped Bi2S3 semimagnetic nanocrystals growth in glass matrix. Journal of Alloys and Compounds, 740, 974-979. doi:10.1016/j.jallcom.2018.01.073
NLM
Guimarães EV, Gonçalves ER, Lourenço SA, Oliveira LC, Baffa O, Silva ACA, Dantas NO, Silva RS. Concentration effect on the optical and magnetic properties of Co2+-doped Bi2S3 semimagnetic nanocrystals growth in glass matrix [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2018 ; 740 974-979.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.01.073
Vancouver
Guimarães EV, Gonçalves ER, Lourenço SA, Oliveira LC, Baffa O, Silva ACA, Dantas NO, Silva RS. Concentration effect on the optical and magnetic properties of Co2+-doped Bi2S3 semimagnetic nanocrystals growth in glass matrix [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2018 ; 740 974-979.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.01.073
Artigo de periodico
Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces (2012)
Lourenço, S. A.; Teodoro, M. D.; González-Borrero, P. P.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOURENÇO, S. A. et al. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, v. 407, n. 12, p. 2131-2135, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Lourenço, S. A., Teodoro, M. D., González-Borrero, P. P., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2012). Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, 407( 12), 2131-2135. doi:10.1016/j.physb.2012.02.020
NLM
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Vancouver
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Artigo de periodico
Influence of crystal field potential on the spectroscopic parameters of Si'O IND.2'.'B IND.2''O IND.3'. PbO glass doped with 'Nd IND.2''O IND.3' (2011)
Dantas, N. O.; Serqueira, E. O.; Bell, M. J. V.; Anjos, V.; Carvalho, E. A.; Lourenço, S. A.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da
Source: Journal of Luminescence. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, LUMINESCÊNCIA, VIDRO (PROPRIEDADES), MICROSCOPIA ELETRÔNICA
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ABNT
DANTAS, N. O. et al. Influence of crystal field potential on the spectroscopic parameters of Si'O IND.2'.'B IND.2''O IND.3'. PbO glass doped with 'Nd IND.2''O IND.3'. Journal of Luminescence, v. 131, n. 5, p. 1029-1036, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2011.01.017. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Dantas, N. O., Serqueira, E. O., Bell, M. J. V., Anjos, V., Carvalho, E. A., Lourenço, S. A., & Silva, M. de A. P. da. (2011). Influence of crystal field potential on the spectroscopic parameters of Si'O IND.2'.'B IND.2''O IND.3'. PbO glass doped with 'Nd IND.2''O IND.3'. Journal of Luminescence, 131( 5), 1029-1036. doi:10.1016/j.jlumin.2011.01.017
NLM
Dantas NO, Serqueira EO, Bell MJV, Anjos V, Carvalho EA, Lourenço SA, Silva M de AP da. Influence of crystal field potential on the spectroscopic parameters of Si'O IND.2'.'B IND.2''O IND.3'. PbO glass doped with 'Nd IND.2''O IND.3' [Internet]. Journal of Luminescence. 2011 ; 131( 5): 1029-1036.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2011.01.017
Vancouver
Dantas NO, Serqueira EO, Bell MJV, Anjos V, Carvalho EA, Lourenço SA, Silva M de AP da. Influence of crystal field potential on the spectroscopic parameters of Si'O IND.2'.'B IND.2''O IND.3'. PbO glass doped with 'Nd IND.2''O IND.3' [Internet]. Journal of Luminescence. 2011 ; 131( 5): 1029-1036.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2011.01.017
Artigo de periodico
Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions (2010)
Cesar, D. F.; Teodoro, M. D.; Tsuzuki, H.; Richard, V. Lopez; Marques, G. E.; Rino, J. P.; Lourenço, S. A.; Marega Júnior, Euclydes; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Salamo, G. J.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CESAR, D. F. et al. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions. Physical Review B, v. 81, n. Ju 2010, p. 233301-1-233301-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Cesar, D. F., Teodoro, M. D., Tsuzuki, H., Richard, V. L., Marques, G. E., Rino, J. P., et al. (2010). Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions. Physical Review B, 81( Ju 2010), 233301-1-233301-4. doi:10.1103/PhysRevB.81.233301
NLM
Cesar DF, Teodoro MD, Tsuzuki H, Richard VL, Marques GE, Rino JP, Lourenço SA, Marega Júnior E, Dias IFL, Duarte JL, Borrero PPG, Salamo GJ. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( Ju 2010): 233301-1-233301-4.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301
Vancouver
Cesar DF, Teodoro MD, Tsuzuki H, Richard VL, Marques GE, Rino JP, Lourenço SA, Marega Júnior E, Dias IFL, Duarte JL, Borrero PPG, Salamo GJ. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( Ju 2010): 233301-1-233301-4.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301
Trabalho de evento-resumo
Temperature modulation of optical recombination by strain-induced effects in heterostructures grown along [n11] directions (2009)
Cesar, D. F.; Richard, V. Lopez; Marques, G. E.; Teodoro, M. D.; Lourenço, S. A.; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Duarte, José Leonil; Gonzáles-Borrero, Pedro Pablo; Marega Júnior, Euclydes
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: TEMPERATURA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, ÓPTICA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
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ABNT
CESAR, D. F. et al. Temperature modulation of optical recombination by strain-induced effects in heterostructures grown along [n11] directions. 2009, Anais.. Curitiba: Universidade Federal do Paraná, 2009. . Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Cesar, D. F., Richard, V. L., Marques, G. E., Teodoro, M. D., Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., et al. (2009). Temperature modulation of optical recombination by strain-induced effects in heterostructures grown along [n11] directions. In Abstracts. Curitiba: Universidade Federal do Paraná.
NLM
Cesar DF, Richard VL, Marques GE, Teodoro MD, Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Gonzáles-Borrero PP, Marega Júnior E. Temperature modulation of optical recombination by strain-induced effects in heterostructures grown along [n11] directions. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 maio 21 ]
Vancouver
Cesar DF, Richard VL, Marques GE, Teodoro MD, Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Gonzáles-Borrero PP, Marega Júnior E. Temperature modulation of optical recombination by strain-induced effects in heterostructures grown along [n11] directions. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 maio 21 ]
Artigo de periodico
Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa (2008)
Teodoro, M. D.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Lourenço, S. A.; Mazzaro, I.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, GASES, TEMPERATURA
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ABNT
TEODORO, M. D. et al. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, v. 103, n. 9, p. 093508-1-093508-7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2913513. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Teodoro, M. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Borrero, P. P. G., Lourenço, S. A., et al. (2008). Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, 103( 9), 093508-1-093508-7. doi:10.1063/1.2913513
NLM
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Vancouver
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Artigo de periodico
Quantificação de danos pós-colheita em pêssegos no mercado atacadista de São Paulo (2006)
Martin, M. C.; Lourenço, S. A.; Gutierrez, A. S. D.; Jacomino, Ângelo Pedro; Amorim, Lílian
Source: Fitopatologia Brasileira. Unidade: ESALQ
Subjects: PÊSSEGO, PÓS-COLHEITA, FUNGOS FITOPATOGÊNICOS
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ABNT
MARTIN, M. C. et al. Quantificação de danos pós-colheita em pêssegos no mercado atacadista de São Paulo. Fitopatologia Brasileira, v. jan./fe, n. 1, p. 5-10, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S0100-41582006000100001. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Martin, M. C., Lourenço, S. A., Gutierrez, A. S. D., Jacomino, Â. P., & Amorim, L. (2006). Quantificação de danos pós-colheita em pêssegos no mercado atacadista de São Paulo. Fitopatologia Brasileira, jan./fe( 1), 5-10. doi:10.1590/S0100-41582006000100001
NLM
Martin MC, Lourenço SA, Gutierrez ASD, Jacomino ÂP, Amorim L. Quantificação de danos pós-colheita em pêssegos no mercado atacadista de São Paulo [Internet]. Fitopatologia Brasileira. 2006 ; jan./fe( 1): 5-10.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S0100-41582006000100001
Vancouver
Martin MC, Lourenço SA, Gutierrez ASD, Jacomino ÂP, Amorim L. Quantificação de danos pós-colheita em pêssegos no mercado atacadista de São Paulo [Internet]. Fitopatologia Brasileira. 2006 ; jan./fe( 1): 5-10.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S0100-41582006000100001

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